سیستم های مخابراتی و هسته ای با نانوترانزسیتورهای HEMT
حرمت اله فرهنگ ، دکتر علی بهاری[1]
دانشگاه مازنداران – دانشکده علوم پایه – گروه فیزیک
چکیده
مطابق قاعده ی کوچک شدگی در سیستم های الکترونیکی، هسته ای و مخابراتی، یکی از قطعات، ترانزیستورهای معمول اثر میدانی به دلیل افزایش جریان نشتی و تونل زنی به انتهای محدوده کاری اش رسیده اند . نانو قطعات MOS با چند ساختاری SiGe/Si/SiGe که تشکیل نانوترانزیستور HEMT را می دهد در ورای این محدوده، بطور فشرده و عمیق مطالعه شده اند تا.
برای مشاهده کامل مقاله ادامه مطلب را مشاهده فرمایید
مقاله مزاحم تلفني و نـمايشگر ( CALLER ID )
مقاله سیستم های مخابراتی و هسته ای با نانوترانزسیتورهای HEMT
هسته ,های ,سیستم ,ای ,hemt ,مشاهده ,هسته ای ,سیستم های ,با نانوترانزسیتورهای ,ای با ,و هسته
درباره این سایت